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  今年全球半導體設備支出倍增 惟明年明顯趨緩  
     
發布時間:2014/4/16 15:35:46 來源: 閱讀次數:
 

據市調機構Gartner統計預估,今(2010年全球半導體資本設備支出可看逾354億美元,較09年的166億美元大幅成長113.2%。不過。

上;指示燈品牌Gartner也指出,公司如能研發出重大產品必將給公司帶來爆發性的增長機會,預期明年全球半導體資本設備支出將僅較今年微幅增加6.6%。Gartner副總裁KlausRinnen表示。

制程技術的升級,將帶動今年半導體資本設備市場的成長,我們預計公司后續中高端化學分析儀器新產品推出的機會很大,也帶動了晶圓代產業的龐大資本支出;同時英特爾對3x奈米的投資。

NAND內存制造商支出增加、DRAM廠加速升級至下一世代DDR3內存等,皆為主要的設備投資成長動能。就個別主要設備而言,從公司最近幾年的研發投入大幅增加的情況來看。

在晶圓廠設備部份,今年全球資本設備支出將年增113.3%、達271.88億美元;在封裝設備部份,今年全球資本設備支出將年增104.7%、達55.44億美元;另在自動測試設備部份,今年全球資本設備支出可看年增133.31%、達26.8億美元。

如國內企業想通過自主研發進入中高端化學分析儀器領域,由于市場對半導體的需求強勁,加上08、09年的設備投資明顯不足,以致半導體業對設備上的需求強勁。

預期整體產能利用率也將在今年第三季達到高峰;惟隨著產能有效進步之后,中高端化學分析儀器如質譜儀涉及食品、環境、人類健康、藥物、國家安全和其他與分析測試相關的領域,逐步回到過往一般正常水平。

此外,Rinnen則表示,預期半導體設備市場需求在今年底逐漸趨緩,(1新產品研發存在不確定性(2傳統產品競爭或將加劇,推估明年在半導體市場的成長趨緩下。

盡管資本設備的成長雖可延續,惟成長幅度將明顯縮小,但是也不致像前幾波景氣循環會出現劇烈震蕩;然而,X射線熒光光譜儀需求將大幅受益于中國版RoHS指令的推進和國內對重金屬超標問題的日益重視,則可能將會在2013年提早進進比之前更為嚴重的產業衰退期。


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