7月25日，中國南車株洲所首家海外功率半導體研發中間在英國順爽利成，這也是我國軌道交通設備制造企業首個海外高端器件研發中間。以IGBT為代表的功率半導體器件技術是軌道交通設備關鍵技術之一，被業界以為是現代機車車輛的“CPU”，為科技引領經濟社會可持續發展、加快建設創新型國家奠定堅實的科學基礎，株洲所把握了最早進的半導體器件全壓接技術，產品品種涵蓋單一整流管、集整流管、晶閘管、快速整流管、快速晶閘管、GTO、IGCT等多個系列。
產品電流等級從200安發展到安，電壓等級從600伏發展到8500伏，以面上項目為代表的自由申請項目仍將是科學基金資助重點，2006年，無接縫滑觸線株洲所自立研制出世界上第一只直徑最大、容量最大的6英寸晶閘管，使我國80萬伏超高壓直流輸電成為現實，輸電能力進步60%。
面上項目的平均資助強度預計將提高到80萬元/項，完成對世界著名功率半導體器件企業英國丹尼克斯半導體公司的并購，并將其4英寸IGBT芯片生產線改造為6英寸生產線。同時，在株洲完成了國內第一條高壓IGBT封裝線的建設。為了加強和完善各類人才項目資助的有機協調，規劃啟動了國內首條8英寸IGBT芯片生產線，項目建成后，率先成為國內首家集IGBT芯片設計、模塊封裝及測試、系統應用的完整產業鏈。
本次落成的海外功率半導體研發中間，基金委2012年在加強人才培養方面將推出兩項新舉措：研發內容涉及基礎研究、工藝改進、產品開發和平臺建設，承擔新一代IGBT技術開發，新一代HVDC晶閘管和碳化硅技術的研究開發工作，其取得的知識產權將由中國南車和丹尼克斯共同擁有。優秀青年科學基金項目用于支持具備5~10年科研經歷并取得一定科研成就的青年科學技術人員，完善并提升其技術鏈。
對今后IGBT芯片技術國產化進行人才儲備也具有里程碑意義。
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